发明名称 | 半导体激光器件 | ||
摘要 | 一种半导体激光器件,包括一个管座、一个半导体激光芯片和一层覆盖在激光芯片上的树脂层。管座可以有一个监视器光电二极管,安装在激光芯片的附近。覆盖在激光芯片上或者既覆盖在激光芯片上又覆盖在监视器光电二极管芯片上的树脂层是由单一的合成树脂制成的,其厚度不超过500μm,并且其表面与激光芯片的向外发射激光束的端面基本上平行。 | ||
申请公布号 | CN1093837A | 申请公布日期 | 1994.10.19 |
申请号 | CN93119979.4 | 申请日期 | 1993.12.24 |
申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 增井克荣;宫内伸幸;谷善平;竹川浩;辻亮;小川胜;盐本武弘 |
分类号 | H01S3/025;H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/025 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;肖掬昌 |
主权项 | 1、一种半导体激光器件,包括基座、半导体激光芯片和密封激光芯片的树脂层,所述的树脂层由单合成树脂制成,且覆盖着激光芯片的向外发射激光束的端面(后面将其称为前发射端面),所述的树脂层的厚度不大于500μm,其表面实际上平行于激光芯片的前发射端面。 | ||
地址 | 日本大阪市 |