发明名称 |
Transistor à effet de champ à canal p à puits quantique, et circuit intégré à transistors complémentaires. |
摘要 |
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申请公布号 |
FR2694132(B1) |
申请公布日期 |
1994.10.14 |
申请号 |
FR19920008985 |
申请日期 |
1992.07.21 |
申请人 |
PICOGIGA SA |
发明人 |
NUYEN LINH T.;CASTAGNE JEAN |
分类号 |
H01L27/06;H01L29/205;H01L29/778;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/812;H01L29/04;H01L29/201 |
主分类号 |
H01L27/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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