Dispositif de protection contre les décharges électrostatiques pour circuits intégrés.

摘要

Le circuit intégré comporte un substrat en semiconducteur dopé sur lequel est formé au moins un transistor MOS (7, 8) ayant son entrée de commande de grille (12) reliée à un plot d'entrée (13). Le dispositif de protection (6) comprend un transistor MOS bloqué (14) formé sur le substrat et connecté entre ladite entrée de commande de grille (12) et une borne de référence (9) du circuit intégré. Un thyristor (16) formé sur le substrat est connecté entre le plot d'entrée (13) et la borne de référence (9). L'électrode de commande (26) de ce thyristor est constituée par une zone du substrat de telle sorte que le thyristor (16) puisse être amorcé par un courant de porteurs de charge produit dans le substrat par avalanche lorsqu'une élévation de tension se produit entre le substrat et la borne (17) du transistor MOS bloqué (14) connectée à ladite entrée commande de grille (12).
Utilisation notamment dans des circuits CMOS.