| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen (20) aus SiC wird ein Reaktionsraum (2), in dem ein Keimkristall (21) zum Abscheiden eines SiC-Einkristalls (20) aus der Gasphase angeordnet ist, mit einem Vorratsraum (4), der wenigstens teilweise mit einem SiC-Vorrat (40) gefüllt ist, durch einen Gaskanal (3) mit einem vorgegebenen Querschnitt zum Transport des SiC in der Gasphase verbunden. Mit einer Heizeinrichtung (6) wird der SiC-Vorrat (40) sublimiert und ein Temperaturgradient in dem Reaktionsraum (2) eingestellt. Dadurch können SiC-Einkristalle (20) beliebiger Querschnittsfläche mit hoher Kristallgüte und Einkristallausbeute hergestellt werden, weil die Transportrate der Gasmoleküle genau eingestellt werden kann.</p> |
