| 摘要 |
Per compensare la riduzione della corrente di emettitore (1E) all'aumentare della temperatura, dovuta alla corrente inversa di saturazione (1CS) che diviene significativa ad elevate temperature, al transistore bipolare da compensare (2, 3), presentante regioni di collettore, base ed emettitore definenti una giunzione base-emettitore, viene associato un diodo (11, 12) collegato in configurazione inversa in parallelo alla giunzione base-emettitore del transistore da compensare (2, 3) e avente corrente di saturazione (1S) sostanzialmente uguale a questo. Il diodo viene ottenuto corto-circuitando fra loro l'emettitore e la base di un ulteriore transistore bipolare (11, 12) uguale al transistore da compensare (2, 3) e collegato con il suo collettore e il suo emettitore rispettivamente alla base e all'emettitore del transistore da compensare.Fig. 2 |
