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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines MOS-Typ-Halbleiter-Bauelement.
摘要
申请公布号 DE68917963(D1) 申请公布日期 1994.10.13
申请号 DE19896017963 申请日期 1989.03.15
申请人 FUJI ELECTRIC CO., LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 FUJIHIRA, TATSUHIKO, KAWASAKI-KU KAWASAKI-SHI KANAGAWA, JP
分类号 H01L29/68;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28;H01L29/72 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人
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