发明名称 | 一种制作介质薄膜的方法 | ||
摘要 | 本发明是在金属材料上先采用电化学氧化方法,形成该金属的氧化物薄膜,再在氧化膜上通过溅射、蒸镀、等离子辉光放电、低压CVD等方法生长一层介质膜,形成了复合介质薄膜隔离层。利用这种技术制造的复合介质隔离层,具有耐450℃高温,与金属基体结合性好,高绝缘强度等优点。适用于制造各种以金属为基体材料的薄膜温度传感器、薄膜力学量传感器、气体传感器和其它具有上述要求的传感器或金属零部件。 | ||
申请公布号 | CN1026186C | 申请公布日期 | 1994.10.12 |
申请号 | CN90108065.9 | 申请日期 | 1990.09.27 |
申请人 | 机械电子工业部第四十九研究所 | 发明人 | 张孝禄;刘培英;姜国光 |
分类号 | C23C28/00;H01L35/34 | 主分类号 | C23C28/00 |
代理机构 | 电子工业部专利服务中心 | 代理人 | 吴德明 |
主权项 | 1.一种制作介质薄膜的方法,是利用蒸镀、溅射、等离子辉光放电、低压CVD等方法在金属表面生长一层介质薄膜,其特征在于在生长该介质薄膜之前,先将金属表面用电化学氧化方法生成一层该金属的氧化物。 | ||
地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市44号信箱 |