发明名称 一种制作介质薄膜的方法
摘要 本发明是在金属材料上先采用电化学氧化方法,形成该金属的氧化物薄膜,再在氧化膜上通过溅射、蒸镀、等离子辉光放电、低压CVD等方法生长一层介质膜,形成了复合介质薄膜隔离层。利用这种技术制造的复合介质隔离层,具有耐450℃高温,与金属基体结合性好,高绝缘强度等优点。适用于制造各种以金属为基体材料的薄膜温度传感器、薄膜力学量传感器、气体传感器和其它具有上述要求的传感器或金属零部件。
申请公布号 CN1026186C 申请公布日期 1994.10.12
申请号 CN90108065.9 申请日期 1990.09.27
申请人 机械电子工业部第四十九研究所 发明人 张孝禄;刘培英;姜国光
分类号 C23C28/00;H01L35/34 主分类号 C23C28/00
代理机构 电子工业部专利服务中心 代理人 吴德明
主权项 1.一种制作介质薄膜的方法,是利用蒸镀、溅射、等离子辉光放电、低压CVD等方法在金属表面生长一层介质薄膜,其特征在于在生长该介质薄膜之前,先将金属表面用电化学氧化方法生成一层该金属的氧化物。
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