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发明名称 MANUFACTURING METHOD OF MOS TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号 JPH06283551(A) 申请公布日期 1994.10.07
申请号 JP19930070596 申请日期 1993.03.30
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 NISHIMURA TAKEYOSHI
分类号 H01L21/266;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/784 主分类号 H01L21/266
代理机构 代理人
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