METHOD FOR REACTIVE ION ETCHING OF STANNIC OXIDE INDIUM,申请号JP19940005825-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR REACTIVE ION ETCHING OF STANNIC OXIDE INDIUM
摘要
申请公布号	JPH06283481(A)	申请公布日期	1994.10.07
申请号	JP19940005825	申请日期	1994.01.24
申请人	PHILIPS ELECTRON NV	发明人	RENNYUAN TSUOU
分类号	C01G19/00;C04B41/53;C04B41/91;C23F4/00;G02F1/1343;H01L21/302;H01L21/3065;H01L31/18;(IPC1-7):H01L21/302	主分类号	C01G19/00
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