发明名称 THERMAL TRANSFER POSTS FOR HIGH DENSITY MULTICHIP SUBSTRATES AND FORMATION METHOD.
摘要 Des traversées à bornes de transfert thermiques sont formées dans une interconnexion de haute densité, multicouche, comportant une base et plusieurs couches de conducteurs métalliques (68, 72, 76) séparées par un matériau diélectrique (70). Ce procédé consiste à éliminer en une seule étape le matériau diélectrique sur des emplacements prédéterminés des traversées à bornes de transfert thermique pour former des trous à borne pratiquement cylindriques et à former les traversées à borne de transfert thermique en plaçant un matériau conducteur, tel qu'un métal, dans les trous à bornes de façon que le matériau occupe complètement les trous et les remplisse.
申请公布号 EP0617842(A1) 申请公布日期 1994.10.05
申请号 EP19930901936 申请日期 1992.12.18
申请人 RAYCHEM CORPORATION 发明人 CHAZAN, DAVID, JOEL;WEIHE, GARY, ROY;OTTE, RICHARD, F.
分类号 H01L23/12;H01L21/48;H01L23/367;H05K1/02;H05K1/03;H05K3/00;H05K3/46;(IPC1-7):H01L23/367 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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