| 摘要 |
L'invention se rapporte à un amplificateur d'adaptation d'impédance amélioré (10) ayant une largeur de bande étendue, un fonctionnement stable et un grand gain où est inclus un étage transistor d'entrée à cascode. L'étage d'entrée à cascode comprend un transistor à effet de champ à jonctions (16) couplé à une sortie à photodiode (12) fournissant l'entrée de courant à l'amplificateur d'adaptation d'impédance. La sortie du transistor à effet de champ à jonctions est couplé à l'émetteur d'un transistor bipolaire (20) ayant sa base mise à la terre. Le transistor à effet de champ à jonctions réduit le bruit du courant dans l'amplificateur d'adaptation d'impédance et le transistor bipolaire fournit le grand gain requis tout en reliant à la terre la capacité par effet Miller. Le couplage de la sortie du transistor bipolaire s'effectue par l'intermédiaire de la base d'un second transistor bipolaire (22) qui sert d'organe séparateur pour l'amplificateur d'adaptation d'impédance. Un décalage de niveau de sortie (30) fournit la tension de rétroaction à l'étage d'entrée à cascode. |
