| 主权项 |
1.一种指纹获取之感测器布置,包含:提供之矽基 体( 11.21),且至少在其表面掺杂;掺杂多矽晶之栅格 式 膜(132.232),与该基体电气绝缘且布置在该基体(11. 21)之表面;各膜(132.232)伸展在空穴(14.24)之上 ,且在至少在两处支持位置(131.231)处牢固地接合该 基 体(11.21),使得该空穴(14.24)布置在该膜(132.232) 及该基体(11.21)表面之间;提供之读出单元,其读 出 及储存因为施加到该膜(132.232)之力量影响而变更 在该 基体(11.21)及该膜(132.232)间之个别电量。2.如申请 专利范围第1项之感测器布置,其中该膜(132 、232)布置成线型式样;该空穴(14.24)沿垂直该线 进 行之行分别布置。3.如申请专利范围第1项之感测 器布置,其中绝缘构造( 12.22)提供在至少该支持位置(131.231)区处之该膜( 132.232)及该基体(11.21)表面之间。4.如申请专利范 围第1项之感测器布置,其中该基体表面 至少布该空穴区内提供绝缘层(12)。5.如申请专利 范围第4项之感测器布置,其中该读出单元 包含移位暂存器,其逐行读出电量并将写入记忆体 内。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之感测器 布置,其 中各膜具有平行于该基体表面之矩形横断面,且该 膜(132 、232)之长度及宽度分别在10至50m间之范围。7. 如申请专利范围第6项之感测器布置,其中各膜(132) 提供有用来定义压力点之构造(16)。8.如申请专利 范围第6项之感测器布置,其中各膜(232) 提供有加强物来限制侧向移动。9.如申请专利范 围第6项之感测器布置,其中该表面提供 有平面化层(25),完全覆盖该膜(232)。10.如申请专利 范围第1至5项中任一项之感测器布置, 其中该空穴具有0.1m至1m间范围内之高度,垂直 相对 该基体之该表面。11.如申请专利范围第1至5项中 任一项之感测器布置, 其中该膜(132.232)在垂直于该基体之该表面方向中, 具 有0.2m至2m间之厚度。12.一种指纹获取感测器 布置之制造方法,包含下列步骤 :施加SiC_3CNC_4C层(42)到矽基体(41)之表面上; 施加SiOC_2C到该SiC_3CNC_4C(42)之表面上;构造SiOC _2C层,使得SiOC_2C构造(43)出现且包含SiOC_2C构造元 件布置成栅格式,且使得该SiOC_3CNC_4C层(42)之表面 显 露于该SiOC_2C构造(43)之外;沈积并掺杂多矽晶层 全 表面;构造该多矽晶层系以对SiOC_2C及SiOC_3CNC_4C 之选择性蚀刻过程辅助完成,使得多矽晶构造(45) 出现且 使每一SiOC_2C构造元件包含多矽晶构造元件,因而 该多 矽晶构造元件完全覆盖该SiOC_2C构造元件,并在至 少两 相对侧边外侧向突出;去除SiOC_2C构造(43),系在选 择性对多矽晶及SiOC_3CNC_4C去除SiOC_2C之蚀刻过程中 完成,因而空穴产生在该SiOC_3CNC_4C层(42)及该多矽 晶 构造(45)之间,膜由该多矽晶构造(45)之对应部份所 形成 ,分别伸展在这些空穴上。13.如申请专利范围第12 项之方法,其中该SiOC_3CNC_4C 层(42)在该多矽晶层沈积之前,至少该多矽晶构造 元件边 缘处去除。14.如申请专利范围第12或13项之方法, 其中沈积该SiO C_2C层成0.1m至1m间范围之厚度;沈积该多矽 晶层 成0.2m至2m间范围之厚度;该SiOC_2C构造元件( 43 )包含平行于该表面在10至50m间范围内之区域; 该多 矽晶构造元件(45)包含平行于该表面在10至50m间 范围 之区域;15.如申请专利范围第12项之方法,其中辅助 构造(44)产 生在该多矽晶构造(45)之下,该辅助构造对多矽晶 选择性 可蚀刻,且包含至少自SiOC_2C构造元件进行直到该 多矽 晶构造元件边缘之构造元件,且由其在对多矽晶选 择性蚀 刻过程中,形成蚀刻通道用来去除SiOC_2C构造元件 。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该辅助构 造是由 SiOC_2C或SiOC_2C及SiOC_3CNC_4C组合所形成。17.如申请 专利范围第15或16项之方法,其中辅助层(44) 具有垂直于该基体(41)之表面,在20m至200nm间范围 之 厚度。18.如申请专利范围第15或16项之方法,其中 该多矽晶构 造元件分别在所有边侧处交叠该SiOC_2C构造元件, 使得 该多矽晶构造元件沿着框架式包围该个别SiOC_2C构 造元 件之封闭锚定表面,接合该SiOC_3CNC_4C层或该辅助构 件 该表面。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该 SiOC_3CNC_4C 层(42)在施加该SiOC_2C层构造之前,使得该SiOC_3CNC_4 C层(42)在该SiOC_2C层带之下,至少局部去除。图1所 示 为提供有构造来定义压力点之指纹获取感测器布 置之一部 份;图2所示为提供有平面化层之指纹获取感测器 布置之 一部份;图3所示为指纹获取感测器布置之一部份 上之平 面图;图4所示为制造指纹获取感测器布置所需之 层构造 ;及图5所示为图4中经参考断面线V-V层构造之断面 图 |
