| 发明名称 |
HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06275852(A) |
申请公布日期 |
1994.09.30 |
| 申请号 |
JP19930058336 |
申请日期 |
1993.03.18 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NAKANO YASUKI;SHIMIZU YOSHITERU;SUGAWARA YOSHITAKA |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/91 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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