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Technique de polarisation inverse servant à augmenter la tension d'inversion de champ entre des transistors MOS adjacents et à réduire les capacités parasites dans un circuit intégré. L'on évite d'utiliser une pompe à charge en connectant la partie corps (11) des transistors MOS à la terre et les sources (22) des transistors MOS à l'anode (27) d'une diode, dont les cathodes (26) sont connectées à une tension de référence telle que la tension de terre. De cette manière, les sources sont inversement polarisées, par rapport au matériau qui les composent, par une chute de tension directe de la diode. Cette technique s'applique particulièrement à des circuits MOS complémentaires fonctionnant sur une source de 3,3 volts, et présentant des densités de dopage de caisson de type-p (15) supérieures à 1x1017 atomes/cm3. |
