| 发明名称 |
CRYSTAL GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND FORMATION OF OHMIC CONTACT USING SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06267867(A) |
申请公布日期 |
1994.09.22 |
| 申请号 |
JP19930053778 |
申请日期 |
1993.03.15 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
WATANABE NORIYUKI;IRITONO TAKUMI |
| 分类号 |
C30B25/02;H01L21/205;H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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