发明名称 |
INDUCTIVE LOAD DUMP CIRCUIT. |
摘要 |
Circuit dans lequel la voie de conduction source-drain d'un transistor (N1) de commutation de puissance est connectée en série avec une charge inductive (L1) entre des première et seconde bornes de puissance, et comprenant un transistor (P1) de fixation de niveau de surtension transitoire dont la voie de conduction source-drain est connectée entre le drain et la grille du transistor de commutation (N1). En réponse à un signal d'arrêt appliqué à la grille du transistor de commutation (N1), une surtension transitoire est générée au niveau du drain du transistor de commutation, et, lorsque cette surtension transitoire dépasse une valeur prédéterminée, le transistor (P1) de fixation de niveau est mis en marche. La conduction du transistor (P1) de fixation de niveau limite la montée de tension au niveau du drain du transistor de commutation (N1) et tend à maintenir ce dernier en un état conducteur afin de permettre la décharge de l'énergie stockée dans la charge inductive (L1). Un élément conducteur unidirectionnel, connecté en série avec le transistor (P1) de fixation de niveau assure qu'uniquement un courant d'une polarité permettant la décharge de la charge inductive (L1) passe à travers le transistor (P1) de fixation de niveau. |
申请公布号 |
EP0615653(A1) |
申请公布日期 |
1994.09.21 |
申请号 |
EP19930921450 |
申请日期 |
1993.09.08 |
申请人 |
HARRIS CORPORATION |
发明人 |
PRESLAR, DONALD, R.;GIORDANO, RAYMOND, L. |
分类号 |
G05F1/56;H03K17/08;H03K17/16;H03K17/695;(IPC1-7):H01H47/32;H03K17/687 |
主分类号 |
G05F1/56 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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