| 发明名称 |
STRUTTURA INTEGRATA DI DISPOSITIVO BIPOLARE DI POTENZA AD ELEVATA DENSITA' DI CORRENTE E DIODO VELOCE E RELATIVO PROCESSO DI FABBRICAZIONE |
| 摘要 |
La struttura è composta da un'unica piastrina (1) di materiale semiconduttore, che comprende una zona (32) ad elevato tempo di vita dei portatori minoritari, che costituisce un dispositivo bipolare di potenza ad alta densità di corrente, ed almeno una zona (20, 21; 20', 21') a ridotto tempo di vita dei portatori minoritari, che costituisce un diodo veloce.(Fig. 4). |
| 申请公布号 |
IT1245365(B) |
申请公布日期 |
1994.09.20 |
| 申请号 |
IT1991MI00836 |
申请日期 |
1991.03.28 |
| 申请人 |
CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO;SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
FRISINA FERRUCCIO;FERLA GIUSEPPE |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/22;H01L21/322;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/07;H01L27/082;H01L29/732;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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