| 发明名称 |
CIRCUIT DE CONVERSION DE TENSION D'ALIMENTATION POUR UNE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS A DENSITE ELEVEE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2647250(B1) |
申请公布日期 |
1994.09.16 |
| 申请号 |
FR19890008370 |
申请日期 |
1989.06.23 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
DONG-SUN MIN;CHANG-HYUN KIM;DAE-JE JIN |
| 分类号 |
G06F1/26;G05F1/46;G05F3/24;G11C5/14;G11C11/407;G11C11/4074;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G11C5/14 |
主分类号 |
G06F1/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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