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<P>Pour réaliser des circuits fonctionnant en bande G ou H (nouvelle norme de désignation OTAN) sur des substrats verre époxy métallisés en cuivre il est prévu selon l'invention d'utiliser un transistor (1) monté dans un boîtier de montage en surface avec un procédé de câblage selon lequel les pattes de masse (4) sont pliées au ras du boîtier et enfilées dans des trous métallisées avant d'être soudées tandis que les autres pattes (5) sont câblées normalement en surface.</P> |
