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发明名称 Methode zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit angeschrägten Öffnungen.
摘要
申请公布号 DE69008693(T2) 申请公布日期 1994.09.15
申请号 DE1990608693T 申请日期 1990.12.20
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 MITANI, TATSURO, C/O INTELLECTUAL P.DIV., TOKYO 105, JP
分类号 H01L21/302;H01L21/285;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/335;H01L21/338;H01L21/76;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/308;H01L21/28 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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