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发明名称 Halbleiteranordnung mit veminderter parasitischer Kapazität und Verfahren zu ihrer Herstellung.
摘要
申请公布号 DE68917434(D1) 申请公布日期 1994.09.15
申请号 DE19896017434 申请日期 1989.12.05
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 SHIMIZU, JUNZOH, TOKYO, JP
分类号 H01L29/73;H01L21/225;H01L21/285;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/73 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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