Gasphasen-Epitaxieverfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiter-Eiskristalls,申请号DE19863635279-传众专利搜索

发明名称	Gasphasen-Epitaxieverfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiter-Eiskristalls
摘要
申请公布号	DE3635279(C2)	申请公布日期	1994.09.08
申请号	DE19863635279	申请日期	1986.10.16
申请人	RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN, TOKIO/TOKYO, JP;NISHIZAWA, JUNICHI, SENDAI, MIYAGI, JP	发明人	NISHIZAWA, JUNICHI, SENDAI, MIYAGI, JP
分类号	C30B29/42;C30B25/02;C30B25/10;C30B25/14;H01L21/205;(IPC1-7):C30B25/02;H01L21/268	主分类号	C30B29/42
代理机构		代理人
主权项
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