发明名称 HETERO JUNCTION FET
摘要
申请公布号 KR940008230(B1) 申请公布日期 1994.09.08
申请号 KR19860000100 申请日期 1986.01.10
申请人 SONY CORP. 发明人 TAKAGUWA, HIDEMI;KATO, YOUJI
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/80 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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