发明名称 Semiconductor device having level shift diode.
摘要
申请公布号 EP0272885(B1) 申请公布日期 1994.09.07
申请号 EP19870311148 申请日期 1987.12.17
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 AWANO, YUJI
分类号 H01L29/86;H01L21/338;H01L27/06;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/861;(IPC1-7):H01L27/06 主分类号 H01L29/86
代理机构 代理人
主权项
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