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发明名称 HIGH ELECTRON NOBILITY TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 JPH06244219(A) 申请公布日期 1994.09.02
申请号 JP19930028150 申请日期 1993.02.17
申请人 SONY CORP 发明人 KAMATA MIKIO
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
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