| 摘要 |
<P>L'invention concerne un substrat semi-conducteur qui comporte une film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi-conducteur via un film isolant. <BR/> Selon l'invention, le film semi-conducteur se compose d'un premier film semi-conducteur (2) qui est un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones d'où les joints subgranulaires (4) produits pendant la recristallisation sont éliminés, ainsi qu'un second film semi-conducteur (7) tiré par épitaxie sur le premier, et en forme de bandes. <BR/> L'invention s'applique notamment à l'industrie des semi-conducteurs.</P>
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