| 主权项 |
1.一种成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其步骤为:1)将矽晶片送入高温炉内,通入NC_2CO以成长一氧化层,退火;2)叠一层氮化矽薄膜于该氧化层上;3)上一层光阻在该氮化矽薄膜表面;4)上光罩于该已上光阻之氮化矽薄膜上,并蚀刻掉不需要之氮化矽;5)形成区域性矽氧化层于该经蚀刻后之氮化矽上;其特征在于步骤(1)中,该以NC_2CO成长之氧化层会于该晶片及该氧化层介面形成一层氮原子,俾降低氧化速率,以达减少鸟嘴(bird'sbeak)长度之目的。2.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,于步骤(1)之送入高温炉后,更包括一步骤(5)通入OC_2C以成长一氧化层。3.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,该矽晶片系经清洗后,再送入高温炉内。4.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,该高温系指900-1100℃。5.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,该步骤(1)所成长的氧化层其厚度为100-。6.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中步骤(1)之退火时间为10-60分钟。7.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中该氮化矽薄膜系以低压化学气相沈积法完成。8.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中步骤(2)系于650-850℃中完成。9.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,该氮化矽薄膜之厚度为1000-。10.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,该蚀刻系以乾式蚀刻技术完成。11.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中该步骤(5)之区域性矽氧化层系以湿氧氧化而成。12.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中该步骤(5)系于950-1100℃之温度下完成。13.如申请专利范围第1项之成长区域性矽氧化法之氧化层的改良方法,其中该步骤(5)之区域性矽氧化层系经1-3小时完成。第一图:习知LOCOS产生之鸟嘴效应。第二图:本发明之一实施例示意图。第三图:以OC_2C及NC_2CO成长之氧化层之氧化速率曲线图。第四图:以OC_2C及NC_2CO成长LOCOS氧化层之SEM图。第五图:利用Suprem 4做OC_2C Oxide 及NC_2CO Oxide之模拟示意图。第六图: |
