| 主权项 |
1.一种面发光型半导体雷射,可将光于垂直方向射向半导体基板,其特微为具备:光共振器,具有反射率不同的一对反射镜与位于其间之多层III-V族化合物半导体层,而上述半导体层之中至少接触及被覆层形成为1条或数条之柱状;被埋入至柱状之上述半导体层之周围的II-VI族化合物半导体晶膜层;及光射出侧之电极,与上述接触层之一部分接触而形成,而在包含上述接触层之几何中心的范围,在与上述接触层之表面积之10以上﹑以下之范围成对向的位置备有开口,上述开口之大小及形状系依据发光点之大小及形状而设定,而在上述开口内形成上述一对反射镜中之光射出侧反射镜。2.如申请专利范围第1项所述之面发光型半导体雷射,其中,与形成在上述电极之上述开口之半导体基板平行之断面的轮廓,可为圆形或正多边形。3.如申请专利范围第1或第2项所述之面发光型半导体雷射,其中,在多个上述柱状半导体层之间形成有分离沟,而在上述分离沟埋入有对于所射出之雷射光之波长为透明之上述Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶膜层,而上述光射出侧之电极在沿着多个上述柱状半导体层之各光射出端面以及被埋入在上述分离沟之Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶膜层,相对向的领域,备有一个上述开口。第1图系表本发明之一实施例之半导体雷射之发光部之断面的立体图。第2图(a)-(e)系表第1图之半导体雷射之制造工程的断面图。第3图系表第1图之半导体雷射之驱动电流与振荡光输出之关系图。第4图(a)-(d)系表第1图之半导体雷射之光射出侧之电极之开口形状的概略说明图。第5图系本发明之其他实施例之半导体雷射之发光部之断面的立体图。第6图(a)-(e)系表第5图之半导体雷射之制造工程的断面图。第7图系表本发明之实施例之相同步型之面发光型半导体雷射之发光部断面的概略图。第8图(a)-(f)系表第7图之半导体雷射之制造工程的断面图。第9图系表示习知之面发光型半导体雷射与第7图半导体雷射之形状上差异以及发光近场图案之差异,同图(a)系表以往面发光型半导体雷射用于射出光线侧的形状,同图(b)系图(a)所示之半导体雷射之发光近场图案之强度分布,同图(c)系本实施例之半导体雷射用于射出光线侧之形状之一实施例,同图(d)系图(c)所示半导体雷射之发光近场图案之强度分布。第10图(a)-(d)系表第9图之半导体雷射之光射出射电极之开口形状的概略说明图。第11图系表以往之面发光型 |
