发明名称 MATERIAL PARA LA FORMACION DE CONTACTO PARA UN INTERRUPTOR DE VACIO.
摘要 UN MATERIAL DE FORMACION DE CONTACTO DE AG-CN-WC PARA UN INTERRUPTOR VACIO QUE COMPRENDE DE UN COMPONENTE ALTAMENTE CONDUCTOR QUE COMPRENDE AG Y CN Y UN COMPONENTE RESISTENTE AL ARCO VOLTAICO QUE COMPRENDE WC EN DONDE EL CONTENIDO DEL COMPONENTE ALTAMENTE CONDUCTOR ES TAL QUE LA CANTIDAD TOTAL DE AG Y DE CN (AG + CN) ES DE DESDE EL 25% AL 65% EN PESO Y EL PORCENTAJE DE AG BASADO EN LA CANTIDAD TOTAL DE AG Y CN [AG/(AG+CN)] ES DE DONDE UN 40% A UN 80% EN PESO; EN DONDE EL CONTENIDO DEL COMPONENTE RESISTENTE AL ARCO ES DE DESCE UN 35% A UN 75% EN PESO; EN DONDE LA ESTRUCFTURA DEL MATERIAL DE FORMACION DE CONTACTO COMPRENDE UNA MATRIZ Y UNA FASE DISCONTINUA DEL COMPONENTE ALTAMENTE CONDUCTOR, TENIENDO UNA FASE DISCONTINUA DEL COMPONENTE ALTAMENTE CONDUCTOR, TENIENDO LA FASE DISCONTINUA UN ESPESOR O ANCHURA DE NO MAS DE 5 MILIMETROS, Y UNA GRAN DISCONTINUIDAD DEL COMPONENTE RESISTENTE AL ARCO TENIENDO UN TAMAÑO DE GRANO DE NO MAS DE 1 MICROMETRO; Y EN DONDE LA FASE DISCONTINUA DEL COMPONENTE ALTAMENTE CONDUCTOR ES DISPENSADOR FINA Y UNIFORMEMENTE EN LA MATRIZ EN INTERVALOR DE NO MAS DE 5 MICROMETROS.
申请公布号 ES2055765(T3) 申请公布日期 1994.09.01
申请号 ES19890113804T 申请日期 1989.07.26
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 OKUTOMI, TSUTOMU;YAMAMOTO, ATSUSHI;CHIBA, SEISHI;SEKI, TSUNEYO;OKAWA, MIKIO;HONMA, MITSUTAKA;OTOBE, KIYOFUMI;SATOH, YOSHINARI;SEKIGUCHI, TADAAKI
分类号 H01H33/66;H01H1/02;H01H1/0233;(IPC1-7):H01H1/02 主分类号 H01H33/66
代理机构 代理人
主权项
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