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发明名称
Halbleitereinrichtung mit einem Graben und Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleitereinrichtung
摘要
申请公布号
DE3809218(C2)
申请公布日期
1994.09.01
申请号
DE19883809218
申请日期
1988.03.18
申请人
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP
发明人
ISHII, TATSUYA, ITAMI, HYOGO, JP;MASHIKO, YOJI, ITAMI, HYOGO, JP;NAGATOMO, MASAO, ITAMI, HYOGO, JP;YAMADA, MICHIHIRO, ITAMI, HYOGO, JP
分类号
H01L21/308;H01L21/763;H01L27/108;H01L29/94;(IPC1-7):H01L27/04;H01L21/72
主分类号
H01L21/308
代理机构
代理人
主权项
地址
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