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发明名称 Fabrication process for a self-aligned, lightly-doped drain-source trench transistor.
摘要
申请公布号 EP0399191(B1) 申请公布日期 1994.08.24
申请号 EP19900106685 申请日期 1990.04.06
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 DHONG, SANG H.;HWANG, WEI;LU, NICKY C. C.
分类号 H01L27/108;H01L21/223;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/112;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784;H01L21/82 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
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