| 主权项 |
1.一种在基板上选择性地形成薄膜的方法,其特征 包括: (a)对该基板实施表面处理,而藉氢原子封端该基板 表面 的工程;(b)在该基板表面选择性地照射能量射线, 而除 去位于该基板表面之照射领域上的终接氢原子,而 在该基 板表面之非照射领域则残留下单原子或多原子之 氢原子层 的工程及;(c)实施化学蒸气沉积法,令该氢原子层 与起 始气体(starting gas)产生反应,而在该氢原子层所被 覆 之该非照射领域上则选择性地形成薄膜的工程。2 .如申请专利范围第1项所述之薄膜形成方法,其中, 该 表面处理以氢氟酸执行。3.如申请专利范围第1项 所述之薄膜形成方法,其中,该 能量射线为电子束或离子束。4.如申请专利范围 第1项所述之薄膜形成方法,其中,该 薄膜由铝构成。5.如申请专利范围第1项所述之薄 膜形成方法,其中,该 基体为矽半导体基体。6.如申请专利范围第1项所 述之薄膜形成方法,其中,该 薄膜在一于10C^-3CTorr至760Torr之范围的压力下,以 200℃至450℃范围内之温度由化学蒸气沉积制成。7 .如申请专利范围第6项所述之薄膜形成方法,其中, 化 学蒸气沉积以有机金属化合物作为开始材料来执 行。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜形成方法, 其中,该 有机金属化合物为烷基铝氢化物。9.如申请专利 范围第8项所述之薄膜形成方法,其中,该 烷基铝氢化物为氢化二甲铝。图1A至1E为概要断面 图,显 示一基体在依本发明之较宜实施例构制薄膜之各 步骤中。 图2A及2B为概要图,显示一矽基体具有依图1A至1E之 步骤 选择性沉积之铝于表面上。在图2A及2B中,黑色部 份为已 由电子束照射之区域,其上无铝沉积。图3为方块 图,显 示一铝沉积装置,宜使用于本发明中。图4A至4B为 一基体 之概要断面图,用以说明使用有机阻体之普通制版 步骤。 图5为概要断要图,用以说明由光助之CVD制造薄膜 之普 |
