| 发明名称 | 半导体积体电路用隔离方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体积体电路用隔离方法，适用于具有元件区的半导体材料制作电子元件，而上述半导体积体电路用隔离方法包括下列步骤：于下述半导体材料的元件区上形成遮蔽物；以上述遮蔽物为罩幕，于上述元件区之间的半导体材料开设隔离槽；以上述遮蔽物为掺植的罩幕，对上述隔离槽作场区掺植，而形成通道停止区；以及以上述遮蔽物为液相选择性沉积的罩幕，利用液相选择性沉积法将氧化物选择性地形成于上述隔离槽。 | ||
| 申请公布号 | TW228611 | 申请公布日期 | 1994.08.21 |
| 申请号 | TW083103185 | 申请日期 | 1994.04.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪允锭;徐震球 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 1.一种半导体积体电路用隔离方法,适用于具有元件区的半导体材料制作电子元件,而上述半导体积体电路用隔离方法包括下列步骤:于上述半导体材料的元件区上形成遮蔽物;以上述遮蔽物为罩幕,于上述元件区之间的半导体材料开设隔离槽;以上述遮蔽物为掺植的罩幕,对上述隔离槽作场区掺植,而形成通道停止区;以及以上述遮蔽物为液相选择性沈积的罩幕,利用液相选择性沈积法将氧化物选择性地形成于上述隔离槽。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用隔离方法,其中,更包括将上述遮蔽物去除的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用隔离方法,其中,上述遮蔽物为光阻。4.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用隔离方法,其中上述遮蔽物为钨。第1图系显示用以说明习知半导体积体电路用隔离方法的剖面图;第2图系显示第1图中场区氧化物部份的放大图;第3图系显示液相选择性沈积装置的示意图;以及第4图系显示用说明本发明之半导 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||