| 摘要 |
<P>L'invention concerne un modulateur semi-conducteur d'intensité de lumière utilisant l'effet d'absorption de champ électrique. <BR/> Le modulateur est caractérisé en ce qu'il comprend: <BR/> une couche d'absorption de lumière (2) absorbant la lumière en une quantité selon un champ électrique appliqué à celle-ci; <BR/> une couche semi-conductrice de correction de phase (9) ayant un intervalle de bande d'énergie plus large que celle de la couche d'absorption de lumière (2) à laquelle un champ électrique est appliqué, indépendamment de l'application à la couche d'absorption de lumière (2); et <BR/> ladite couche semi-conductrice de correction de phase (9) étant disposée dans le chemin de guide d'onde de lumière au voisinage de celui-ci du modulateur semi-conducteur d'intensité de lumière. <BR/> L'invention est utilisable pour des modulateurs semi-conducteur d'intensité de lumière.</P>
|
