发明名称 Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung.
摘要
申请公布号 DE3850582(D1) 申请公布日期 1994.08.18
申请号 DE19883850582 申请日期 1988.01.28
申请人 TOYODA GOSEI CO., LTD., HARUHI, AICHI, JP;NAGOYA UNIVERSITY, NAGOYA, AICHI, JP 发明人 MANABE, KATSUHIDE, ICHINOMIYA-SHI AICHI-PREF.491, JP;OKAZAKI, NOBUO, KONAN-SHI AICHI-PREF. 483, JP;AKASAKI, ISAMU, MACHIDA-SHI TOKYO 194-01, JP;HIRAMATSU, KAZUMASA, YOKKAICHI-SHI MIE-PREF. 510, JP;AMANO, HIROSHI, HAMAMATSU-SHI SHIZUOKA-PREF. 432, JP
分类号 H01L21/20;H01L33/00;H01L33/32;H01L33/40;(IPC1-7):H01L33/00;H01L21/205;C30B25/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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