发明名称 ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER AND METHOD OF FABRICATION.
摘要 L'invention concerne un convertisseur analogique/numérique (300) à deux étapes ainsi qu'un procédé de fabrication de BiCMOS pour fabriquer ce convertisseur. Le procédé de fabrication permet de constituer une isolation de pseudo-substrat de dispositifs CMOS numériques à partir de dispositifs analogiques. Le convertisseur utilise une commutation de courant NPN dans un convertisseur analogique/numérique éclair (306) et dans un convertisseur numérique/analogique (310) pour des conditions de fonctionnement à faible bruit. La correction d'erreurs numériques (318) de CMOS et des circuits d'attaque de sortie BiCMOS (320) permet d'obtenir une densité élevée de conditionnement ainsi qu'une grande capacité de manipulation de charges de sortie. Une commande de synchronisation temporelle (330) effectue l'agrégation d'évènements de commutation et les place dans des intervalles lorsque des opérations sensibles aux bruits sont inactives. Le procédé de fabrication utilise une fine couche épitaxiale avec traitement thermique limité pour obtenir des dispositifs NPN et PNP ayant des tensions disruptives et initiales élevées. Des résistances équilibrées au laser donnent une dérive à court-long terme en raison de la stabilisation du dopage dans BPSG sous-jacent et une passivation de nitrure d'hydrogène faible.
申请公布号 EP0610430(A1) 申请公布日期 1994.08.17
申请号 EP19920924194 申请日期 1992.10.29
申请人 HARRIS CORPORATION 发明人 BACRANIA, KANTILAL;CHI, CONG, IN;CHURCH, MICHAEL, DAVID;COTREAU, GERALD, M.;DEJONG, GLENN, ALAN;FISHER, GREGORY, JAMES;GASNER, JOHN, THOMAS;ITO, AKIRA;JOHNSTON, JEFFREY, MICHAEL;KING, KEN, RICHARD;KUTCHMARICK, DAVID;RHEE, CHOONG-SUN;RIEMER, DAVID, WAYNE
分类号 G01R19/00;G05F3/26;G05F3/30;G11C27/02;H01L21/8249;H01L27/02;H01L27/06;H03F1/52;H03F3/45;H03F3/50;H03G1/00;H03K5/15;H03K7/08;H03K17/22;H03K19/08;H03M1/14;H03M1/16;H03M1/36;(IPC1-7):H03K5/15;H03K5/13 主分类号 G01R19/00
代理机构 代理人
主权项
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