MAGNETORESISTIVE INTEGRATED CIRCUIT SENSOR WITH HIGH OUTPUT VOLTAGE SWING AND TEMPERATURE COMPENSATION.

摘要

L'invention concerne une magnétorésistance (MR) et une résistance de type non magnétorésistif (NMR) constituées d'antimoniure d'indium ou d'un autre matériau magnétorésistif situées sur un substrat, à proximité thermique l'une de l'autre. On forme sur la magnétorésistance (MR) des bandes de mise en court-circuit à effet de Hall afin de la rendre beaucoup plus magnétorésistive que la résistance detype non magnétorésistif. Un miroir de courant (80) fait s'écouler des courants égaux constants ne variant pas avec la température dans la magnétorésistance (MR) et la résistance de type non magnétorésistif (NMR) de manière à y produire des tensions de magnétorésistance et de résistance de type non magnétorésistif. Les tensions de la magnétorésistance et de la résistance de type non magnétorésistif varient également selon la température. La tension de la magnétorésistance varie aussi selon le flux magnétique appliqué. Un comparateur (66) soustrait la tension de la résistance de type non magnétorésistif de la tension de la magnétorésistance afin de produire un signal de sortie ne variant que selon le flux magnétique, la variation de température étant annulée. Le miroir de courant (80) présente une impédance de charge équivalente essentiellement infinie de façon que la tension de la magnétorésistance varie le plus possible avec la variation de la résistance de la magnétorésistance (MR), le capteur (70) présentant une excursion de tension de sortie la plus élevée possible.