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发明名称 DRY ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH06224162(A) 申请公布日期 1994.08.12
申请号 JP19930008775 申请日期 1993.01.22
申请人 KUBOTA CORP 发明人 IGAWA SATOSHI
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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