| 发明名称 |
NMOS LOW CONCENTRATION DRAIN PMOS HALO IC PROCESS FOR CMOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06224381(A) |
申请公布日期 |
1994.08.12 |
| 申请号 |
JP19930264778 |
申请日期 |
1993.10.22 |
| 申请人 |
NATL SEMICONDUCTOR CORP <NS> |
发明人 |
MAAREI JIEI ROBINSON;KURISUTOFUAA SHII JIYOISU |
| 分类号 |
H01L21/8249;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/10;(IPC1-7):H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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