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发明名称 Halbleiterbauelement, insbesondere Feldeffekttransistor mit vergrabenem Gate
摘要
申请公布号 DE4303598(A1) 申请公布日期 1994.08.11
申请号 DE19934303598 申请日期 1993.02.08
申请人 BESSON, MARCUS, DR., 82041 OBERHACHING, DE;WITZANY, MANFRED, DR., 84048 MAINBURG, DE 发明人 BESSON, MARCUS, DR., 82041 OBERHACHING, DE;WITZANY, MANFRED, DR., 84048 MAINBURG, DE
分类号 H01L29/43;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/804;H01L21/335;H01L27/115;H01L31/112 主分类号 H01L29/43
代理机构 代理人
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