| 摘要 |
Afin de soumettre une pièce telle qu'une tranche à semi-conducteurs à des pressions élevées, on enferme la pièce dans un vide (16) créé entre deux parties enveloppes (6, 7) qui ont été poussées l'une vers l'autre par des éléments d'actionnement supérieur et inférieur (12, 13). Les parties enveloppes (6, 7) sont elles-mêmes enfermées dans une chambre à vide (1) dans laquelle un vide peut être créé par un système de pompage à vide. Un gaz est alors introduit dans le vide (10) par l'intermédiaire d'un tuyau (17) à partir d'une source de pression appropriée, de façon à soumettre la pièce à une pression élevée. Un élément de chauffage peut être prévu pour soumettre la pièce à une température élevée. |
