| 摘要 |
<p>Die Erfindung offenbart einen Quasiteilchen-Injektionstransistor, der schichtweise aus einem Injektor und einem oder mehreren Akzeptoren zusammengesetzt ist. Der Injektor und jeder Akzeptor besteht aus einem Hochtemperatur-Supraleiter. Jeder dieser Hochtemperatur-Supraleiter stellt seinerseits einen kristallinen Stapel von intrinsischen Tunnelkontakten dar. Jeder Tunnelkontakt entsteht als intrinsische Eigenschaft des Hochtemperatur-Supraleiterkristalls, wenn die CuO2-Ebenen oder -Doppelebenen durch isolierende Zwischenschichten getrennt sind, die als Tunnelbarrieren genutzt werden können. Die entstehenden Drei-Anschluß-Schaltelemente haben eine hohe Verstärkung, so daß ein Quasiteilchen-Injektionstransistor der intrinsischen Bauart eine große Zahl weiterer Schaltelemente derselben Bauart treiben kann. Auf dieser Grundlage lassen sich hochintegrierte logische Schaltkreise aus Hochtemperatur-Supraleitern konstruieren.</p> |
