钛酸铋铁电薄膜的制备方法

摘要

一种钛酸铋铁电薄膜的制备方法，采用常压有机化学气相沉积工艺将钛源和铋源加热挥发，用氮气为载气携带挥发钛源和铋源通入生长室时，同时氮气和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，在常压加热情况下，在衬底上制得薄膜，该方法工艺简单，方便，薄膜生长周期短，制得的薄膜均匀，致密、无微裂，且铁电性能及电光性能良好，可用于制作铁电存贮器和电光器件及铁电超导复合器件。

主权项

1、一种钛酸铋铁电薄膜的制备方法，选用单晶硅Si(100)，或二氧化硅SiO2，作衬底；以氮气为稀释气体和载气；选钛源为异丙氧基钛(Ti[OCH(CH3)2]4)或钛酸正丁酯；铋源为三苯基铋(Bi(C6H5)3)；氧气为氧化剂，其特征是将钛源和铋源分别放入钛源挥发器和铋源挥发器中加热使其挥发，用载气氮分别携带挥发的钛源和铋源，经流量控制器通入放置有衬底的薄膜生长室内，同时经流量控制器分别将稀释气体氮和氧气通入生长室内，通气时生长室温度加热至500℃-650℃，生长时间为20-120分钟，整个过程在常压状态下进行，随后停止加热、通气，自然冷却至室温，在衬底上制成薄膜。