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发明名称 HIGH PURITY CONDUCTIVE FILMS AND THEIR USE IN SEMICONDUCTORS
摘要 A high purity contact barrier layer in a semiconductor device is characterized by an A1 content of 1 x 10<1><8>cm<-><3> or less. <IMAGE>
申请公布号 EP0496637(A3) 申请公布日期 1994.07.27
申请号 EP19920300634 申请日期 1992.01.24
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 ISHIGAMI, TAKASHI;SATOU, MICHIO;OBATA, MINORU;MIYAUCHI, MASAMI;KAWAI, MITUO;YAMANOBE, TAKASHI;YAGI, NORIAKI;MAKI, TOSHIHIRO;ANDO, SHIGERU;KOHANAWA, YOSHIKO
分类号 H01L29/47 主分类号 H01L29/47
代理机构 代理人
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