发明名称 |
半导体器件的加速老化的检测系统和方法 |
摘要 |
一种检测半导体器件的方法,包括在一段时间给半导体器件通以预定电平的电流脉冲之步骤,以使不合格部分老化,使合格部分稳定,及在加电流脉冲后,测量半导体器件的预定电或光工作特性之步骤。提供一种检测片子上半导体器件的系统,具有一个接触探头,用于把电流脉冲施加到片子上的半导体器件上,一个与探头电连接的测量装置,用于测量片子上半导体器件的预定电或光工作特性,以及一个与测量装置电连接的光探测装置,用于探测由片子上半导体器件发出的辐射。 |
申请公布号 |
CN1090053A |
申请公布日期 |
1994.07.27 |
申请号 |
CN93114427.2 |
申请日期 |
1993.10.13 |
申请人 |
克里研究公司 |
发明人 |
约翰·A·爱德蒙;道格拉斯·A·阿司布利;卡温·H·卡特;道格拉斯·G·华尔兹 |
分类号 |
G01R31/26 |
主分类号 |
G01R31/26 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈申贤 |
主权项 |
1、一种检测半导体器件的方法,包括下列步骤:在一定时间内给半导体器件通以预定电流电平脉冲,以使不合格部分老化,使合适部分稳定;以及在通电流脉冲后,测量半导体器件的电学和光学工作特性。 |
地址 |
美国北卡罗莱纳 |