发明名称 半导体器件的加速老化的检测系统和方法
摘要 一种检测半导体器件的方法,包括在一段时间给半导体器件通以预定电平的电流脉冲之步骤,以使不合格部分老化,使合格部分稳定,及在加电流脉冲后,测量半导体器件的预定电或光工作特性之步骤。提供一种检测片子上半导体器件的系统,具有一个接触探头,用于把电流脉冲施加到片子上的半导体器件上,一个与探头电连接的测量装置,用于测量片子上半导体器件的预定电或光工作特性,以及一个与测量装置电连接的光探测装置,用于探测由片子上半导体器件发出的辐射。
申请公布号 CN1090053A 申请公布日期 1994.07.27
申请号 CN93114427.2 申请日期 1993.10.13
申请人 克里研究公司 发明人 约翰·A·爱德蒙;道格拉斯·A·阿司布利;卡温·H·卡特;道格拉斯·G·华尔兹
分类号 G01R31/26 主分类号 G01R31/26
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陈申贤
主权项 1、一种检测半导体器件的方法,包括下列步骤:在一定时间内给半导体器件通以预定电流电平脉冲,以使不合格部分老化,使合适部分稳定;以及在通电流脉冲后,测量半导体器件的电学和光学工作特性。
地址 美国北卡罗莱纳