| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN ON SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06204161(A) |
申请公布日期 |
1994.07.22 |
| 申请号 |
JP19930261227 |
申请日期 |
1993.10.19 |
| 申请人 |
HIYUNDAI ELECTRON IND CO LTD |
发明人 |
UU BON RII;SAN KI HON;YUN AAMU YAN;YAE UOAN KOO;IRU SUN HIYUN |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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