发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensors mit trichterförmigen Öffnungen in dem Halbleitersubstrat.
摘要
申请公布号 DE69009936(D1) 申请公布日期 1994.07.21
申请号 DE19906009936 申请日期 1990.11.15
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA 发明人 HIRANO, HIROKAZU, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDIV., MINATO-KU, TOKYO 105;YAMAKI, BUNSHIRO, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDIV., MINATO-KU, TOKYO 105
分类号 G01P15/08;G01P15/12;H01L29/84;(IPC1-7):G01P15/12 主分类号 G01P15/08
代理机构 代理人
主权项
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