发明名称 CHARGE DOMAIN SYNAPSE CELL.
摘要 Une cellule synaptique semi-conductrice, à domaine de charge (10), comprend un condensateur (15) couplé entre une ligne d'entrée (11) et un noeud intermédiaire (17). Une transition descendante de tension, appliquée à la ligne d'entrée (11), produit un transfert de charge d'une ligne de sommation (S1) vers le noeud intermédiaire (17) par l'intermédiaire d'un premier dispositif (14) présentant un seuil programmable. Un second dispositif (13) transfère la charge du noeud intermédiaire (17) vers une autre ligne de sommation (S2) en réponse à la prochaine transition descendante de tension de la ligne d'entrée. La quantité de charge transférée est proportionnelle à l'amplitude du signal d'entrée pulsé, au seuil de tension programmé et à la valeur de capacitance.
申请公布号 EP0606213(A1) 申请公布日期 1994.07.20
申请号 EP19920912786 申请日期 1992.05.22
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 CASTRO, HERNAN, A.
分类号 G06F15/18;G06G7/60;G06N3/063;H03K17/30;(IPC1-7):H03K17/693 主分类号 G06F15/18
代理机构 代理人
主权项
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