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经营范围
发明名称
Herstellungsverfahren zur Ausbildung eines MOS-Transistors durch Selbstausrichtung der Source/Drain-Gebiete.
摘要
申请公布号
DE3789350(T2)
申请公布日期
1994.07.14
申请号
DE19873789350T
申请日期
1987.11.05
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA
发明人
KUMAGAI, JUMPEI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105;SHINOZAKI, SATOSHI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105
分类号
H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08
主分类号
H01L21/8238
代理机构
代理人
主权项
地址
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