| 主权项 |
1﹒一种水性浆液,其包含水及5至20重量% 之一种研磨组成物,该研磨组成物包含30 至50%之二氧化铈;8至20%之发烟砂石 及15至45%之沉淀砂石,其中该二氧化铈 为具有100nm至2,000nm之粒子尺寸,发 烟砂石具有10nm至1,200nm的粒子尺寸﹒ 沉淀砂石具有25nm至4,000nm的粒子尺寸 2﹒如申请专利范围第1项之水性浆液,其中 该研磨组成物包含45%的二氧化铈、18% 之发烟砂石、及37%之沈淀砂石。 3﹒如申请专利范围第1项之水性浆液,其中 该研磨组成物包含42﹒5至48﹒0%约二氧化 铈,17至19%的发烟砂石及35至39%的沈 淀砂石。 4﹒如申请专利范围第1.2或3项之水性浆 液,其中二氧化铈具有100nm至500nm之 粒子尺寸,发烟砂石具有7nm至40nm的粒 子尺寸,沈淀砂石具有50nm至2000nm的粒 子尺寸。 5﹒如申请专利范围第1.2或3项之水性浆 液,其中二氧化铈具有100nm至300nm之 粒子尺寸,发烟砂石具有10nm至30nm的粒 子尺寸,沈淀砂石具有100nm至300nm的 粒子尺寸。 6﹒如申请专利范围第1项中之水性浆液,其 更包含0﹒01至2﹒0%之界面活性剂。 7﹒如申请专利范围第6项之水性浆液,其中 之界面活性剂为选自包含非离子性界面活 性剂,阴离子性界面活性剂,阳离子性界 面活性剂,两性的界面活性剂及其混合物。 8﹒如申请专利范围第7项中之水性浆液,其 中界面活性剂为选自辛基苯基环氧乙烷, 壬基苯基环氧乙烷,辛基苯氮基聚乙氧基 乙醇,聚氧化乙烯(10)辛基苯酚醚,壬基 苯酚聚醚,聚氧化乙烯(20)酐单油酸酯, 聚(氧基─1,2─乙烷撑)─(壬基 苯基)─横─羟基,脂肪族乙氧酸酯,羧 酸聚胺醯胺,具有阴离子或阳离子特性之 聚合物的烷基铵盐类,聚羧酸,丙烯酸共 聚合物或其混合物。 9﹒如申请专利范围第8项之水性浆液,其中 界面活性剂为辛基苯氧基聚乙氧基乙醇。 10﹒ 如申请专利范围第1项之水性浆液,其 更包含一种酸性或硷性物质以保持该组成 物之pH値在4至12。 11﹒如申请专利范围第10项之水性浆液,其 中该酸性或硷性物质保持该组成物之PH値 在6至11﹒4。 12﹒如申请专利范围第11项之水性浆液,其 中之酸性物质为选自盐酸,硝酸,磷酸及 硫酸等,而硷性物质为选自氢氧化钾,氢 氧化铵及乙醇胺等。 13﹒如申请专利范围第1项之水性浆液,其 中该研磨组成物之含量为10至16重量%。 14﹒一种供磨光或弄平一个工作件之表面的 方法,包含: (a)施用如申请专利范围第1项之水性浆 液于一欲磨光或弄平之工作件的表面; 和 (b)藉由机械地和化学地使该水性浆液研 磨该工作件的表面至预定的程度以磨光 或弄平该工作件的表面。 15﹒如申请专利范围第14项之方法,包含施 用该水性组成物至一个垫板,然后在一压 力下使该垫板充分地接近该工作件的表面 一段充裕的时间以磨光或弄平该工作件。 16﹒如申请专利范围第15项之方法,其中该 工作件为具有相当少的区域及高的电子装 置整合密度之半导组晶圆,该晶圆的表面 具有大多数的阶梯且在至少某些的阶梯之 间有很多的间隙。 17﹒如申请专利范围第16项之方法,其中该 晶圆的表面具有预定的平滑度,在此之上 无工作件材料为所要的而在此之下则存在 有所要之无缺点的电子元件,本方法更进 一步地包含弄平该晶圆的表面至该平滑度 而实质上在该晶圆中不会有低于该平滑度 之不利的缺点。 |
